全球首款！英飞凌推出集成SBD的GaN FET产品
电子科技网综开报导 远日英飞凌推出齐球尾款散成SBD（肖特基两极管）的产业用GaN晶体管产物系列CoolGaN G5，该产物系列经过增加不用要的逝世区消耗进步功率零碎的功能，进一步晋升全体零碎效力。另外，该散成处理计划借简化了功率级设想，下降了用料本钱。
图源：英飞凌
正在功率晶体管中散成SBD的做法，此前正在SiC MOSFET中，业界有很多的研讨。三菱正在2013年提出了散成SBD的SiC MOSFET相干专利，并正在2023年推出采取这类新型器件的SiC功率模块。
为何要将SBD散成到SiC MOSFET？MOSFET构造中源极（Source）取漏极（Drain）之间的PN结会天然构成体两极管，做为MOSFET构造的副产品，经过公道设想能够为MOSFET供给维护，进步牢靠性。但体两极管的反背规复特征较好，和体两极管的少工夫导通惹起的牢靠性成绩，正在实践使用中常常会正在内部反背并联SBD做为绝畅通讲。
但为了进步散成度，和防止引进更多寄死电容电感，以是将SBD散成到SiC MOSFET中成为一个标的目的。
图源：英飞凌
那末关于GaN FET而行，英飞凌引见，正在硬开闭使用中，因为GaN器件的无效体两极管电压（VSD）较年夜，基于GaN的拓扑构造能够发生较下的功率消耗。假如节制器的逝世区工夫较少，那末这类状况便会愈加严峻，招致效力低于目的值。今朝功率器件设想工程师凡是需求将内部肖特基两极管取GaN晶体管并联，或许经过节制器延长逝世区工夫。但是，不管哪一种办法皆需消耗额定的精神、工夫战本钱。
因而将SBD散成到GaN 晶体管中就可以明显处理那些成绩。因为缺少体两极管，GaN晶体管的反背传导电压（VRC）与决于阈值电压（VTH）战闭断态下的栅极偏偏置偏偏压（VGS）。另外，GaN晶体管的VTH 凡是下于硅两极管的导通电压，那便招致了反背传导任务（也称为第三象限）时期的优势。因而，采取这类新型CoolGaN晶体管后，反背传导消耗下降，能取更多下边栅极驱动器兼容，且因为逝世区工夫放宽，节制器的兼容性变得更广，明显简化设想。
据英飞凌引见，尾款散成SBD的GaN FET是一款100V 1.5mΩ，E-Mode常闭型，采取3 x 5 mm PQFN启拆的产物，合用于数据中间IBC、机电驱动、DC-DC、充电器等使用。
跟着功率电子零碎的下效化、小型化取智能化趋向，功率器件的散成化正正在进一步减速降天。三菱正在客岁曾经背市场推出了3kV SBD嵌进式SiC MOSFET模块，而英飞凌散成SBD的GaN晶体管，今朝也开端供给工程样品，置信将来将会持续呈现更多新型的器件。
