备货热潮提前到 内存厂Q2有望价量齐扬

内存产业在美国对等关税政策反复变动下，提前出现备货热潮。 根据TrendForce最新调查，美方虽释出90天宽限期，却已实质改变内存供需方的作策略，买卖双方急于在宽限期内完成交易、生产出货，预期将推升第二季市场交易热度，DRAM、NAND Flash价格也同步上修。

TrendForce资深研究副总吴雅婷指出，尽管关税宽限期暂时缓解市场对需求下滑的疑虑，品牌与通路商仍普遍抱持「降低不确定因素、建立安全库存」的心态，拉货力道显著升温，积极提高DRAM及NAND Flash的库存水位，进而带动供应链产能，尤其以出口美国为主的内存模组厂，面对宽限期截止后，可能出现的关税成本转嫁压力，更倾向提前出货。

据TrendForce观察内存价格面，第二季DRAM（含高带宽记忆体HBM）与NAND Flash合约价将出现3%~8%的调涨空间，较原预估明显扩大。 惟法人提醒，这波价格上扬多属提前反映需求的短期效应，若终端市场需求无法适时回温，第三季起恐面临修正压力。

面对关税政策不确定性，内存原厂与模组厂正同步调整策略。 业界人士指出，存储器大厂美光（Micron）日前通知美国客户，将对部分记忆体产品加收附加费，尽管半导体芯片暂未列入课税清单，但包括存储器模组、固态硬盘（SSD）等成品仍成为「直接转嫁」对象。 亦有亚洲业者坦言，「如果美国客户不愿承担税费，我们就无法出货; 在这种税率之下，没有人能够大方承担成本。」

关税宽限期阶段，除了受惠第二季备货热潮，部分韩系与台系记忆体厂也已调整对美市场的配货比重，并与品牌客户协议下单节奏，以维持毛利稳定。 展望后市，法人认为存储器市场可能出现「先热后冷」局面，第三季可能进入观望盘整格局，关键仍取决于关税政策走向与消费市场回温力道。

记忆体产品2025年来价格趋势