北京大学团队研发出全球首款二维 GAAFET 晶体管,以铋材料突破接触电阻量子极限,开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表,实测性能超越国际巨头,二维堆叠技术使中国半导体站上 1 纳米制程竞争最前沿。近年来,随着···